一种降低硅片表面金属的清洗工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111329480.2

申请日：

2021-11-10

公开(公告)号：

CN114242563A

公开(公告)日：

2022-03-25

发明(设计)人：

张雪张超仁曹锦伟王彦君孙晨光

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京鑫知翼知识产权代理事务所(普通合伙) 11984

代理人：

张云珠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-25	公开	公开
2022-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20211110

共 50 条

[1]

一种降低硅片表面金属的清洗方法 [P].

焦芬芬 .

中国专利 :CN115440575A ,2022-12-06

[2]

一种降低硅片表面颗粒数量的清洗方法 [P].

吴礼文 .

中国专利 :CN117832059A ,2024-04-05

[3]

一种硅片清洗工艺 [P].

崔敏娟 .

中国专利 :CN107552481A ,2018-01-09

[4]

一种硅片清洗工艺 [P].

袁祥龙 ;

刘园 ;

武卫 ;

孙晨光 ;

刘建伟 ;

由佰玲 ;

常雪岩 ;

谢艳 ;

杨春雪 ;

刘秒 ;

裴坤羽 ;

祝斌 ;

刘姣龙 ;

王彦君 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN111199874A ,2020-05-26

[5]

硅片的清洗工艺 [P].

唐国琴 .

中国专利 :CN102569036A ,2012-07-11

[6]

一种降低硅片Fe含量的硅片清洗工艺 [P].

宋博 ;

卞梁 ;

秦朗 ;

杨昱 .

中国专利 :CN119786336A ,2025-04-08

[7]

一种半导体硅片表面清洗机构及其清洗工艺 [P].

常雪岩 ;

武卫 ;

刘园 ;

刘建伟 ;

祝斌 ;

刘姣龙 ;

裴坤羽 ;

袁祥龙 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

王聚安 ;

由佰玲 ;

杨春雪 ;

谢艳 ;

刘秒 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN111446188A ,2020-07-24

[8]

一种清洗200mm半导体硅片的清洗工艺 [P].

褚鑫 ;

李星 ;

林涛 ;

曹锦伟 .

中国专利 :CN111681944A ,2020-09-18

[9]

一种硅片表面钨铁金属离子的清洗方法 [P].

贾红 ;

郑书红 ;

邱建荣 .

中国专利 :CN104299890A ,2015-01-21

[10]

一种硅片清洗装置及清洗工艺 [P].

刘园 ;

袁祥龙 ;

赵洋 ;

武卫 ;

刘建伟 ;

祝斌 ;

刘姣龙 ;

裴坤羽 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

张宏杰 ;

由佰玲 ;

常雪岩 ;

杨春雪 ;

谢艳 ;

刘秒 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN115502136A ,2022-12-23

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