半导体硅片磷扩散后涂胶前表面处理工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910117738.5

申请日：

2009-12-14

公开(公告)号：

CN101710570A

公开(公告)日：

2010-05-19

发明(设计)人：

徐谦刚王林蒲耀川李昊张志向张晓情崔振华杨保书梁小龙邵晏平

申请人：

申请人地址：

741000 甘肃省天水市秦州区环城西路7号

IPC主分类号：

H01L21302

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

甘肃省知识产权事务中心 62100

代理人：

鲜林

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-19	公开	公开
2011-05-18	授权	授权
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597012807 IPC(主分类):H01L 21/302 专利号:ZL2009101177385 申请日:20091214 授权公告日:20110518 终止日期:20131214
2010-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003678248 IPC(主分类):H01L 21/302 专利申请号:2009101177385 申请日:20091214

共 50 条

[1]

硅片吸杂前表面处理工艺 [P].

杨洁 ;

潘旭 ;

周锋 .

中国专利 :CN119275096A ,2025-01-07

[2]

半导体设备和半导体硅片处理工艺 [P].

侯欣楠 ;

程进 ;

石金川 .

中国专利 :CN113223981A ,2021-08-06

[3]

一种半导体硅片耐磨处理工艺 [P].

董玲玲 ;

牛建新 .

中国专利 :CN111041540A ,2020-04-21

[4]

半导体硅片制造工艺 [P].

库黎明 ;

闫志瑞 ;

索思卓 ;

陈海滨 ;

盛方毓 .

中国专利 :CN101791779A ,2010-08-04

[5]

一种半导体晶圆前处理工艺 [P].

侯玉闯 ;

薛鹏 .

中国专利 :CN108597990B ,2018-09-28

[6]

一种功率芯片投料前表面处理工艺 [P].

崔文荣 .

中国专利 :CN113539793A ,2021-10-22

[7]

一种半导体硅片的热处理工艺 [P].

孙新利 .

中国专利 :CN102995125A ,2013-03-27

[8]

一种硅片表面处理工艺 [P].

杨山锐 ;

徐杰 ;

李盼龙 ;

蒋大金 .

中国专利 :CN118867040A ,2024-10-29

[9]

半导体处理工艺及半导体元器件 [P].

朴相荣 ;

金志勋 ;

金玄永 ;

徐康元 .

中国专利 :CN113223951B ,2021-08-06

[10]

半导体晶片的杂质热扩散处理工艺 [P].

谷本健二 ;

木村裕 ;

伊藤省吾 ;

深津腱 .

中国专利 :CN104362214B ,2015-02-18

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