一种半导体硅片的热处理工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210388391.X

申请日：

2012-10-12

公开(公告)号：

CN102995125A

公开(公告)日：

2013-03-27

发明(设计)人：

孙新利

申请人：

申请人地址：

313199 浙江省湖州市长兴县雉城镇新城丽景41幢2单元102室

IPC主分类号：

C30B3302

IPC分类号：

代理机构：

杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217

代理人：

竺诗忍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	授权	授权
2015-05-27	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101715769755 IPC(主分类):C30B 33/02 专利申请号:201210388391X 变更事项:申请人变更前:浙江长兴众成电子有限公司变更后:浙江中晶科技股份有限公司变更事项:地址变更前:313100 浙江省湖州市长兴县经济开发区县前东街1299号变更后:313100 浙江省湖州市长兴县经济开发区县前东街1299号
2013-03-27	公开	公开
2013-08-07	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101647026272 IPC(主分类):C30B 33/02 专利申请号:201210388391X 变更事项:申请人变更前权利人:孙新利变更后权利人:浙江长兴众成电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:313199 浙江省湖州市长兴县雉城镇新城丽景41幢2单元102室变更后权利人:313100 浙江省湖州市长兴县经济开发区县前东街1299号登记生效日:20130716
2013-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101444319790 IPC(主分类):C30B 33/02 专利申请号:201210388391X 申请日:20121012

共 50 条

[1]

半导体设备和半导体硅片处理工艺 [P].

侯欣楠 ;

程进 ;

石金川 .

中国专利 :CN113223981A ,2021-08-06

[2]

一种半导体硅片耐磨处理工艺 [P].

董玲玲 ;

牛建新 .

中国专利 :CN111041540A ,2020-04-21

[3]

半导体硅片的热处理方法 [P].

黄海冰 .

中国专利 :CN111489969A ,2020-08-04

[4]

半导体热处理工艺与设备及由该工艺热处理的半导体 [P].

並川靖生 .

中国专利 :CN1189928C ,2003-04-23

[5]

热处理设备、热处理工艺及半导体工件的制造工艺 [P].

伊藤正孝 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1225501A ,1999-08-11

[6]

一种半导体硅片的热处理方法 [P].

祝凯 .

中国专利 :CN112820642A ,2021-05-18

[7]

半导体硅片的清洗工艺腔及半导体硅片的清洗工艺 [P].

张晨骋 .

中国专利 :CN102243988B ,2011-11-16

[8]

半导体硅片磷扩散后涂胶前表面处理工艺 [P].

徐谦刚 ;

王林 ;

蒲耀川 ;

李昊 ;

张志向 ;

张晓情 ;

崔振华 ;

杨保书 ;

梁小龙 ;

邵晏平 .

中国专利 :CN101710570A ,2010-05-19

[9]

半导体热处理工艺温度前馈补偿方法 [P].

田博 ;

徐冬 ;

王艾 .

中国专利 :CN102354244A ,2012-02-15

[10]

一种半导体硅片脱胶工艺 [P].

王少刚 ;

邢玉军 ;

范猛 ;

王帅 ;

张全红 ;

李立伟 .

中国专利 :CN103464418B ,2013-12-25

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