半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610407359.X

申请日：

2016-06-12

公开(公告)号：

CN107492551A

公开(公告)日：

2017-12-19

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2711

IPC分类号：

H01L27092 H01L218238 H01L218244

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-31	授权	授权
2017-12-19	公开	公开
2018-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11 申请日:20160612

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107346783B ,2017-11-14

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108074929B ,2018-05-25

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

赵梅 ;

梁仁荣 ;

王敬 ;

许军 .

中国专利 :CN102201435B ,2011-09-28

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

斯蒂文·J.·科斯特 ;

威尔弗雷德·E.-A.·哈恩斯奇 ;

阿姆兰·玛尤姆达 .

中国专利 :CN101252146B ,2008-08-27

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

苏鸿斌 ;

白东贺 .

中国专利 :CN115332177A ,2022-11-11

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN110349851B ,2019-10-18

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111508841A ,2020-08-07

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

邱冠璋 ;

李家庆 ;

陈建豪 ;

钟鸿钦 ;

李显铭 ;

徐志安 ;

童宣瑜 ;

吴仲强 .

中国专利 :CN113410178A ,2021-09-17

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108122852B ,2018-06-05

[10]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

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