GaN基LED外延片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201521094171.1

申请日：

2015-12-26

公开(公告)号：

CN205264741U

公开(公告)日：

2016-05-25

发明(设计)人：

刘波尹甲运白欣娇袁凤坡王波潘鹏汪灵周晓龙王静辉

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 H01L3332 H01L3300

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

王占华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	授权	授权

共 50 条

[21]

一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN109148657B ,2019-01-04

[22]

Si衬底LED外延片及其制备方法 [P].

刘波 ;

房玉龙 ;

王波 ;

袁凤坡 ;

潘鹏 ;

汪灵 ;

白欣娇 ;

周晓龙 ;

王静辉 .

中国专利 :CN105405942A ,2016-03-16

[23]

一种GaN基LED外延片及外延生长方法 [P].

侯合林 ;

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116111014B ,2025-10-31

[24]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115020552A ,2022-09-06

[25]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

郑文杰 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN114695610A ,2022-07-01

[26]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

高虹 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN114497306B ,2022-05-13

[27]

一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115020552B ,2025-11-11

[28]

GaN-LED外延片表面粗化方法、外延片及LED [P].

周志兵 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115799409B ,2025-10-31

[29]

LED的制备方法及LED外延片 [P].

王军喜 ;

王新维 ;

张宁 ;

魏学成 .

中国专利 :CN114284403B ,2025-01-21

[30]

LED的制备方法及LED外延片 [P].

王军喜 ;

王新维 ;

张宁 ;

魏学成 .

中国专利 :CN114284403A ,2022-04-05

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