一种复合阳极、QLED器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610274973.3
申请日
2016-04-28
公开(公告)号
CN105762305A
公开(公告)日
2016-07-13
发明(设计)人
刘佳 曹蔚然 杨一行 钱磊
申请人
申请人地址
516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
IPC主分类号
H01L5156
IPC分类号
H01L5152 H01L5150
代理机构
深圳市君胜知识产权代理事务所 44268
代理人
王永文;刘文求
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[41]
一种QLED器件及其制备方法 [P]. 
杨成玉 ;
杨一行 .
中国专利 :CN108878618B ,2018-11-23
[42]
一种QLED器件及其制备方法 [P]. 
刘佳 ;
曹蔚然 ;
梁柱荣 .
中国专利 :CN109427978A ,2019-03-05
[43]
一种QLED器件及其制备方法 [P]. 
梁柱荣 ;
曹蔚然 ;
刘佳 .
中国专利 :CN109326727A ,2019-02-12
[44]
一种QLED器件及其制备方法 [P]. 
敖资通 ;
张建新 ;
严怡然 ;
杨帆 ;
赖学森 ;
洪佳婷 .
中国专利 :CN114695823A ,2022-07-01
[45]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
朱佩 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN109935712A ,2019-06-25
[46]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
刘欣 .
中国专利 :CN115498120A ,2022-12-20
[47]
QLED器件及其制备方法 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 ;
杨一行 ;
钱磊 .
中国专利 :CN106784191B ,2017-05-31
[48]
一种QLED器件及其制备方法 [P]. 
梁柱荣 ;
曹蔚然 ;
刘佳 .
中国专利 :CN109326729A ,2019-02-12
[49]
一种QLED器件及其制备方法 [P]. 
李泽伟 ;
曹蔚然 .
中国专利 :CN109980052B ,2019-07-05
[50]
一种QLED器件及其制备方法 [P]. 
王宇 ;
曹蔚然 ;
李龙基 .
中国专利 :CN109935706A ,2019-06-25