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半导体接触结构、存储器结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810837445.3
申请日：
2018-07-26
公开(公告)号：
CN109003938A
公开(公告)日：
2018-12-14
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L27108
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
余明伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-12-14 | 公开 | 公开 |
| 2019-01-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20180726 |