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反应性离子蚀刻用掩膜材料、掩膜以及干蚀刻方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200480012459.8
申请日：
2004-06-11
公开(公告)号：
CN1784510A
公开(公告)日：
2006-06-07
发明(设计)人：
大川秀一
服部一博
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
C23F400
IPC分类号：
G11B584
代理机构：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人：
高龙鑫;王颖
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2006-06-07 | 公开 | 公开 |
| 2006-08-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2010-02-24 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 |