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无掩膜局域蚀刻装置、方法及系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210025727.6
申请日
:
2012-01-31
公开(公告)号
:
CN103227234A
公开(公告)日
:
2013-07-31
发明(设计)人
:
张陆成
申请人
:
申请人地址
:
414109 湖南省岳阳县麻塘镇金山村张远宝苗圃
IPC主分类号
:
H01L3118
IPC分类号
:
代理机构
:
北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382
代理人
:
苗青盛;王凤华
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-07-31
公开
公开
2016-06-22
授权
授权
共 50 条
[1]
无掩膜局域蚀刻装置、无掩膜局域蚀刻系统
[P].
张陆成
论文数:
0
引用数:
0
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0
张陆成
.
中国专利
:CN202633359U
,2012-12-26
[2]
反应性离子蚀刻用掩膜材料、掩膜以及干蚀刻方法
[P].
大川秀一
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大川秀一
;
服部一博
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服部一博
.
中国专利
:CN1784510A
,2006-06-07
[3]
OLED面板掩膜板蚀刻装置
[P].
周平
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机构:
江苏希尔芯半导体设备有限公司
江苏希尔芯半导体设备有限公司
周平
;
张少平
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机构:
江苏希尔芯半导体设备有限公司
江苏希尔芯半导体设备有限公司
张少平
.
中国专利
:CN120738645B
,2025-10-31
[4]
OLED面板掩膜板蚀刻装置
[P].
周平
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0
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机构:
江苏希尔芯半导体设备有限公司
江苏希尔芯半导体设备有限公司
周平
;
张少平
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0
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0
机构:
江苏希尔芯半导体设备有限公司
江苏希尔芯半导体设备有限公司
张少平
.
中国专利
:CN120738645A
,2025-10-03
[5]
一种金属掩膜版的蚀刻方法及金属掩膜版
[P].
徐华伟
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机构:
浙江众凌科技有限公司
浙江众凌科技有限公司
徐华伟
;
沈洵
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机构:
浙江众凌科技有限公司
浙江众凌科技有限公司
沈洵
.
中国专利
:CN116180080B
,2025-04-11
[6]
蚀刻装置及蚀刻方法
[P].
白耀文
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白耀文
;
唐攀
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唐攀
;
李小平
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李小平
.
中国专利
:CN101962774A
,2011-02-02
[7]
蚀刻方法及蚀刻装置
[P].
户田聪
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户田聪
;
菊岛悟
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菊岛悟
;
中込健
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中込健
;
小泽淑惠
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小泽淑惠
;
林军
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林军
.
中国专利
:CN110581067A
,2019-12-17
[8]
蚀刻装置及蚀刻方法
[P].
杨楠
论文数:
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机构:
友达光电(昆山)有限公司
友达光电(昆山)有限公司
杨楠
.
中国专利
:CN119542186A
,2025-02-28
[9]
蚀刻方法及蚀刻装置
[P].
小风丰
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小风丰
;
远藤光广
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远藤光广
;
植田昌久
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植田昌久
;
邹红罡
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邹红罡
;
宫崎俊也
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宫崎俊也
;
中村敏幸
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中村敏幸
.
中国专利
:CN101681829A
,2010-03-24
[10]
蚀刻方法及蚀刻装置
[P].
齐藤进
论文数:
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齐藤进
;
清水昭贵
论文数:
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清水昭贵
.
中国专利
:CN1750237A
,2006-03-22
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