半导体器件及生产工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96190107.1

申请日：

1996-02-19

公开(公告)号：

CN1146827A

公开(公告)日：

1997-04-02

发明(设计)人：

坂本和久

申请人：

申请人地址：

日本京都市

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29732

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

董巍;叶恺东

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-03-18	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2003-04-23	授权	授权
2015-04-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101604515646 IPC(主分类):H01L 29/06 专利号:ZL961901071 申请日:19960219 授权公告日:20030423 终止日期:20140219
1997-04-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的生产工艺 [P].

渡边香织 .

中国专利 :CN1262523A ,2000-08-09

[2]

半导体器件及其生产工艺 [P].

吉田彰 .

中国专利 :CN1210763C ,2003-07-02

[3]

半导体器件及其生产工艺 [P].

秋山雪治 ;

柴本正训 ;

下石智明 ;

有田顺一 .

中国专利 :CN1289143A ,2001-03-28

[4]

树脂密封型半导体器件及用于生产这种半导体器件的生产工艺 [P].

木村直人 .

中国专利 :CN1503358A ,2004-06-09

[5]

半导体产品生产工艺及半导体产品 [P].

周刚 ;

刘思勇 .

中国专利 :CN117476476A ,2024-01-30

[6]

一种半导体器件的生产工艺 [P].

吉田直之 .

中国专利 :CN1099697C ,1999-06-09

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[8]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[9]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

镰田阳一 .

中国专利 :CN102651315A ,2012-08-29

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

堀充明 ;

鸟居泰伸 .

中国专利 :CN103579347B ,2014-02-12

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