一种烧结ITO低密度圆柱颗粒的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510759124.2

申请日：

2015-11-10

公开(公告)号：

CN105294073A

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

陆映东黄誓成武建良农浩黄作

申请人：

申请人地址：

545036 广西壮族自治区柳州市阳和工业园阳和北路西2号

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

C04B3564

代理机构：

柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) 45113

代理人：

韦微

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-09	授权	授权
2016-02-03	公开	公开
2016-06-22	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734549637 IPC(主分类):C04B 35/01 专利申请号:2015107591242 变更事项:申请人变更前:广西晶联光电材料有限责任公司变更后:广西晶联光电材料有限责任公司变更事项:地址变更前:545036 广西壮族自治区柳州市阳和工业园阳和北路西2号变更后:545616 广西壮族自治区柳州市柳东新区水湾路2号柳东标准厂房2号配套办公楼222号
2016-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101648994668 IPC(主分类):C04B 35/01 专利申请号:2015107591242 申请日:20151110

共 50 条

[1]

一种ITO烧结靶材的制备方法 [P].

梅方胜 ;

袁铁锤 ;

陈立三 ;

杨杨 ;

刘文德 ;

李瑞迪 ;

赵为上 ;

苗华磊 .

中国专利 :CN108947520A ,2018-12-07

[2]

一种低密度ITO靶材及其制备方法 [P].

钟小华 ;

刘文杰 ;

童培云 .

中国专利 :CN110655387B ,2020-01-07

[3]

一种新型高密度ITO靶材制备方法 [P].

唐安泰 .

中国专利 :CN110818404A ,2020-02-21

[4]

一种新型高密度ITO靶材制备方法 [P].

唐安泰 .

中国专利 :CN120097721A ,2025-06-06

[5]

一种ITO颗粒的气氛烧结方法 [P].

唐智勇 .

中国专利 :CN112898014B ,2021-06-04

[6]

一种高密度ITO靶材的制备方法 [P].

骆树立 ;

王建堂 ;

李庆丰 ;

骆如河 ;

骆如田 ;

骆胜华 ;

骆胜磊 ;

曹立江 ;

王凤雷 ;

李丽娜 ;

乔向力 .

中国专利 :CN104909723A ,2015-09-16

[7]

一种纳米均相ITO粉制备ITO靶材的方法 [P].

王政红 ;

张秀勤 ;

薛建强 ;

邢朋飞 .

中国专利 :CN101392362A ,2009-03-25

[8]

一种梯度烧结制备高密度钼靶材的方法 [P].

张石明 ;

车玉思 ;

张环 ;

赵转 ;

卫玉卓 ;

陈熠 ;

阚婷 .

中国专利 :CN120362476A ,2025-07-25

[9]

一种提高纯钼棒烧结态密度的制备工艺 [P].

邓锐 ;

单鹏 ;

李德华 .

中国专利 :CN117733150A ,2024-03-22

[10]

一种低成本、高密度ITO靶材的制备方法 [P].

张天舒 ;

宋晓超 ;

蒋卫国 ;

钱邦正 .

中国专利 :CN107130217A ,2017-09-05

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