一种铬硅合金溅射靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110315792.1

申请日：

2021-03-24

公开(公告)号：

CN113073299B

公开(公告)日：

2021-07-06

发明(设计)人：

姚力军边逸军潘杰王学泽杨慧珍

申请人：

申请人地址：

315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1414 C22C2706 B22F904 B22F302 B22F324

代理机构：

北京远智汇知识产权代理有限公司 11659

代理人：

王岩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-09	授权	授权
2021-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20210324
2021-07-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

杨慧珍 .

中国专利 :CN113770360A ,2021-12-10

[2]

一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

马国成 .

中国专利 :CN111058004A ,2020-04-24

[3]

一种铬硅合金溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

杨慧珍 ;

廖培君 ;

黄东长 .

中国专利 :CN115110044A ,2022-09-27

[4]

一种铬硅合金溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

杨慧珍 .

中国专利 :CN112376023A ,2021-02-19

[5]

一种钽硅合金溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

李岢 .

中国专利 :CN112030120A ,2020-12-04

[6]

铬钽钛合金溅射靶材的制备方法、铬钽钛合金溅射靶材及应用 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

吴东青 .

中国专利 :CN108580905A ,2018-09-28

[7]

一种磁记录用钛铬合金溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

曹欢欢 .

中国专利 :CN113088900A ,2021-07-09

[8]

一种铬硅溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

李苛 .

中国专利 :CN111996507A ,2020-11-27

[9]

一种钽硅合金溅射靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

马国成 .

中国专利 :CN110952064A ,2020-04-03

[10]

一种钽硅合金溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

周友平 ;

黄洁文 ;

吴东青 .

中国专利 :CN115537740A ,2022-12-30

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