一种铬硅合金溅射靶材的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210877583.0

申请日：

2022-07-25

公开(公告)号：

CN115110044A

公开(公告)日：

2022-09-27

发明(设计)人：

姚力军潘杰杨慧珍廖培君黄东长

申请人：

申请人地址：

315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

B22F904 B22F316 C22C104 C22C2706 C22C2800

代理机构：

北京远智汇知识产权代理有限公司 11659

代理人：

韩承志

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种铬硅合金溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

杨慧珍 .

中国专利 :CN113073299B ,2021-07-06

[2]

一种铬硅合金溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

杨慧珍 .

中国专利 :CN112376023A ,2021-02-19

[3]

一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

马国成 .

中国专利 :CN111058004A ,2020-04-24

[4]

一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

杨慧珍 .

中国专利 :CN113770360A ,2021-12-10

[5]

一种铬硅溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

李苛 .

中国专利 :CN111996507A ,2020-11-27

[6]

一种钽硅合金溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

李岢 .

中国专利 :CN112030120A ,2020-12-04

[7]

一种钽硅合金溅射靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

周友平 ;

黄洁文 ;

吴东青 .

中国专利 :CN115537740A ,2022-12-30

[8]

铬钽钛合金溅射靶材的制备方法、铬钽钛合金溅射靶材及应用 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

吴东青 .

中国专利 :CN108580905A ,2018-09-28

[9]

一种钽硅合金溅射靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

马国成 .

中国专利 :CN110952064A ,2020-04-03

[10]

一种硅铬旋转溅射靶材及其制备方法 [P].

石煜 ;

曾墩风 ;

王志强 ;

马建保 ;

盛明亮 .

中国专利 :CN113897585B ,2022-01-07

← 1 2 3 4 5 →