利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN02130235.9
申请日
1996-06-21
公开(公告)号
CN1405857A
公开(公告)日
2003-03-26
发明(设计)人
E·H·伦茨 R·D·迪布尔
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L213065
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
张志醒
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置 [P]. 
E·H·伦茨 ;
R·D·迪布尔 .
中国专利 :CN1148105A ,1997-04-23
[2]
等离子体约束装置及利用该等离子体约束装置的等离子体处理装置 [P]. 
陈金元 ;
周宁 ;
欧阳亮 ;
吴狄 ;
徐朝阳 ;
杜志游 ;
尹志尧 .
中国专利 :CN201514924U ,2010-06-23
[3]
等离子体约束装置 [P]. 
倪图强 ;
陈金元 ;
钱青 ;
付越虹 ;
徐朝阳 ;
周旭升 ;
王晔 .
中国专利 :CN101150909A ,2008-03-26
[4]
等离子体约束装置及等离子体处理装置 [P]. 
南建辉 ;
宋巧丽 .
中国专利 :CN101419904B ,2009-04-29
[5]
等离子体约束装置和等离子体加工设备 [P]. 
南建辉 ;
宋巧丽 .
中国专利 :CN101383278B ,2009-03-11
[6]
等离子体约束装置 [P]. 
彭帆 ;
吴狄 ;
周宁 ;
邱达燕 .
中国专利 :CN202423213U ,2012-09-05
[7]
等离子体约束装置及等离子体处理装置 [P]. 
傅时梁 ;
杨金全 ;
王枫 .
中国专利 :CN212461598U ,2021-02-02
[8]
等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
森口尚树 .
中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25
[9]
等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P]. 
穆罕默德·菲依鲁斯·宾布迪曼 ;
辻本宏 .
中国专利 :CN111801776A ,2020-10-20
[10]
等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P]. 
八田浩一 ;
前川薫 ;
佐藤渚 ;
大野久美子 ;
田原慈 ;
雅各·法盖 ;
雷米·杜萨特 ;
托马斯·蒂洛彻 ;
菲利普·勒福舍 ;
盖尔·安托万 .
中国专利 :CN111527591A ,2020-08-11