沟槽电容器及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200810001386.2
申请日
2008-01-16
公开(公告)号
CN101226898B
公开(公告)日
2008-07-23
发明(设计)人
A·K·钦撒金蒂 金德起 李熙
申请人
申请人地址
美国纽约阿芒克
IPC主分类号
H01L2182
IPC分类号
H01L21822 H01L218242 H01L2702 H01L2706 H01L27108 G06F1750
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
王茂华
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
沟槽电容器及其制造方法 [P]. 
林宏 ;
李浩业 ;
傅振轩 .
中国专利 :CN119451136A ,2025-02-14
[2]
沟槽电容器及其制造方法 [P]. 
林宏 ;
蔡巧明 ;
赵文远 .
中国专利 :CN119451137A ,2025-02-14
[3]
沟槽电容器及制造沟槽电容器之方法 [P]. 
H·塞德 ;
A·塞格 ;
S·库德卡 ;
M·古茨彻 .
中国专利 :CN1585096A ,2005-02-23
[4]
深沟槽电容器及其制造方法 [P]. 
赵常宝 ;
叶国梁 ;
胡胜 .
中国专利 :CN115425006A ,2022-12-02
[5]
沟槽式电容器及其制造方法 [P]. 
陆斌 ;
沈健 .
中国专利 :CN111010884A ,2020-04-14
[6]
深沟槽电容器及其制造方法 [P]. 
赵常宝 ;
叶国梁 ;
胡胜 .
中国专利 :CN115425006B ,2025-02-07
[7]
沟槽电容器和用于制造沟槽电容器的方法 [P]. 
S.施魏格 ;
S.班茨哈夫 .
中国专利 :CN107924954A ,2018-04-17
[8]
埋入式沟槽电容器及其制造方法 [P]. 
徐生旭 ;
陈锡杰 ;
陈全基 .
中国专利 :CN1314106C ,2005-06-22
[9]
沟槽型MIM电容器及其制造方法 [P]. 
覃庆媛 ;
吴卓杰 ;
王岩 ;
丁文凤 .
中国专利 :CN120547884B ,2025-11-11
[10]
沟槽型MIM电容器及其制造方法 [P]. 
覃庆媛 ;
吴卓杰 ;
王岩 ;
丁文凤 .
中国专利 :CN120547884A ,2025-08-26