稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111234757.3
申请日
2021-10-22
公开(公告)号
CN114032517A
公开(公告)日
2022-02-11
发明(设计)人
王志强 马建保 林燕明 曾墩风 陶成 毕荣锋
申请人
申请人地址
241000 安徽省芜湖市中国(安徽)自由贸易试验区芜湖片区衡山路南侧、凤鸣湖北路西侧1#厂房
IPC主分类号
C23C1435
IPC分类号
C23C1408
代理机构
南京正联知识产权代理有限公司 32243
代理人
杨静
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法 [P]. 
唐安泰 ;
唐智勇 ;
程波 .
中国专利 :CN117362006B ,2024-09-24
[2]
一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法 [P]. 
唐安泰 ;
唐智勇 ;
程波 .
中国专利 :CN117362006A ,2024-01-09
[3]
一种Y掺杂ITO靶材及其制备方法与应用 [P]. 
唐智勇 ;
唐安泰 ;
程波 .
中国专利 :CN117362005A ,2024-01-09
[4]
一种Y掺杂ITO靶材及其制备方法与应用 [P]. 
唐智勇 ;
唐安泰 ;
程波 .
中国专利 :CN117362005B ,2024-09-03
[5]
一种微波法制备镍铝掺杂的ITO靶材 [P]. 
张莉兰 ;
徐蒙 ;
钟小华 ;
高建成 .
中国专利 :CN115353369A ,2022-11-18
[6]
一种纳米均相ITO粉制备ITO靶材的方法 [P]. 
王政红 ;
张秀勤 ;
薛建强 ;
邢朋飞 .
中国专利 :CN101392362A ,2009-03-25
[7]
一种ITO烧结靶材的制备方法 [P]. 
梅方胜 ;
袁铁锤 ;
陈立三 ;
杨杨 ;
刘文德 ;
李瑞迪 ;
赵为上 ;
苗华磊 .
中国专利 :CN108947520A ,2018-12-07
[8]
一种高铟含量的ITO靶材的制备方法 [P]. 
张兵 ;
王志强 ;
曾墩风 ;
马建保 ;
陶成 ;
徐军伟 .
中国专利 :CN114873992A ,2022-08-09
[9]
稀土钡铜氧化物超导靶材及其制备方法 [P]. 
刘苗 ;
朱林 ;
孙本双 ;
刘洋 .
中国专利 :CN119263808A ,2025-01-07
[10]
稀土掺杂IZO氧化物靶材及其制备方法 [P]. 
陈立甲 ;
张雪凤 ;
孙本双 ;
王之君 ;
陈重阳 ;
韩冰雪 .
中国专利 :CN117926194A ,2024-04-26