一种表面修饰铕的三氧化钨光电极及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410015180.0

申请日：

2014-01-14

公开(公告)号：

CN103774196A

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

刘润潘微许宜铭

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

林松海

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	公开	公开
2016-05-04	授权	授权
2020-01-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D 9/04 申请日:20140114 授权公告日:20160504 终止日期:20190114
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582693782 IPC(主分类):C25D 9/04 专利申请号:2014100151800 申请日:20140114

共 50 条

[1]

一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法 [P].

刘润 ;

刘丽英 ;

王萍 ;

徐铸德 ;

许宜铭 .

中国专利 :CN102691071B ,2012-09-26

[2]

一种锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备方法 [P].

刘丽英 ;

刘润 ;

王萍 ;

徐铸德 ;

许宜铭 .

中国专利 :CN103088381A ,2013-05-08

[3]

一种片状三氧化钨光电极及其制备方法 [P].

李灿 ;

王楠 ;

施晶莹 ;

郑霄家 .

中国专利 :CN104711528A ,2015-06-17

[4]

一种层状三氧化钨光电极材料及其制备方法 [P].

冯苗 ;

彭湃 ;

陈小宇 .

中国专利 :CN110054224A ,2019-07-26

[5]

一种Ti-Mo共掺杂三氧化钨光电极的制备方法 [P].

许明 ;

李超 ;

贺含悦 ;

操家顺 ;

沈晓笑 .

中国专利 :CN107986334A ,2018-05-04

[6]

一种电极表面修饰纳米水合三氧化钨的电化学制备方法 [P].

李国华 ;

陆啸丰 ;

吴世照 .

中国专利 :CN114059126A ,2022-02-18

[7]

纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及三氧化钨薄膜电极 [P].

沈晓彦 ;

赵伟 ;

段晓菲 .

中国专利 :CN102418116A ,2012-04-18

[8]

氧化钨薄膜的制备方法 [P].

赵倩 ;

张洪文 ;

刘广强 ;

蔡伟平 .

中国专利 :CN109100343A ,2018-12-28

[9]

一种三氧化钨/钨酸锰/钨酸钴光电极材料及其制备方法和应用 [P].

熊贤强 ;

张晓 ;

梅优阳 ;

韩得满 ;

武承林 ;

吴琛琦 .

中国专利 :CN114808013A ,2022-07-29

[10]

一种低比表面三氧化钨的制备方法 [P].

廖小丽 ;

谢金明 ;

余春荣 ;

朱亚模 ;

李继红 .

中国专利 :CN104909410A ,2015-09-16

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