晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810090043.8

申请日：

2008-03-31

公开(公告)号：

CN101276756A

公开(公告)日：

2008-10-01

发明(设计)人：

加藤健夫桥井友裕村山克彦古屋田荣高石和成

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L2166 C23F108

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

温大鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-01	公开	公开
2013-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101460117829 IPC(主分类):H01L 21/306 专利号:ZL2008100900438 申请日:20080331 授权公告日:20091230 终止日期:20120331
2008-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-30	授权	授权

共 50 条

[41]

蚀刻设备及其控制方法 [P].

张金良 ;

黄柏文 ;

林志忠 .

中国专利 :CN102163543B ,2011-08-24

[42]

蚀刻剂及控制晶片的回收方法 [P].

俞台勇 ;

苏裕盛 ;

许立德 ;

梁镜麟 ;

苏斌嘉 .

中国专利 :CN101423761B ,2009-05-06

[43]

一种二流体真空蚀刻设备及其蚀刻方法 [P].

匡飞传 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN118158907A ,2024-06-07

[44]

干蚀刻方法、干蚀刻剂及其保存容器 [P].

大森启之 ;

上田辰德 ;

池田晋也 .

中国专利 :CN113330539A ,2021-08-31

[45]

蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液 [P].

松田修 ;

菊池信之 ;

林田一良 ;

白旗里志 .

中国专利 :CN103258727A ,2013-08-21

[46]

一种无氟蚀刻剂及其蚀刻方法 [P].

郭前程 .

中国专利 :CN113186531A ,2021-07-30

[47]

蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液 [P].

松田修 ;

菊池信之 ;

林田一良 ;

白旗里志 .

中国专利 :CN101903988A ,2010-12-01

[48]

蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液 [P].

横沟贵宏 ;

鹤本浩之 ;

柿泽政彦 .

中国专利 :CN105378901B ,2016-03-02

[49]

浸泡式蚀刻设备及浸泡式蚀刻方法 [P].

尹易彪 .

中国专利 :CN107564840B ,2018-01-09

[50]

连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法 [P].

张书省 ;

蔡嘉雄 ;

茹振宗 ;

刘仕伟 .

中国专利 :CN102610486A ,2012-07-25

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