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晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200810090043.8
申请日：
2008-03-31
公开(公告)号：
CN101276756A
公开(公告)日：
2008-10-01
发明(设计)人：
加藤健夫
桥井友裕
村山克彦
古屋田荣
高石和成
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L21306
IPC分类号：
H01L2166
C23F108
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
温大鹏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2008-10-01 | 公开 | 公开 |
| 2013-05-22 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101460117829 IPC(主分类):H01L 21/306 专利号:ZL2008100900438 申请日:20080331 授权公告日:20091230 终止日期:20120331 |
| 2008-11-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2009-12-30 | 授权 | 授权 |