晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810090043.8

申请日：

2008-03-31

公开(公告)号：

CN101276756A

公开(公告)日：

2008-10-01

发明(设计)人：

加藤健夫桥井友裕村山克彦古屋田荣高石和成

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L2166 C23F108

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

温大鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-01	公开	公开
2013-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101460117829 IPC(主分类):H01L 21/306 专利号:ZL2008100900438 申请日:20080331 授权公告日:20091230 终止日期:20120331
2008-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-30	授权	授权

共 50 条

[1]

晶片的单片式蚀刻方法 [P].

古屋田荣 ;

桥井友裕 ;

村山克彦 ;

高石和成 ;

加藤健夫 .

中国专利 :CN101379599B ,2009-03-04

[2]

蚀刻设备和使用蚀刻设备的蚀刻方法 [P].

全大植 ;

李政范 ;

车城昊 ;

罗圣闵 ;

宋明坤 ;

金德镐 ;

林庆辰 .

中国专利 :CN101140859A ,2008-03-12

[3]

晶片蚀刻系统和使用所述晶片蚀刻系统的晶片蚀刻方法 [P].

柳基龙 ;

朴生万 ;

内山昌彦 .

中国专利 :CN104246991A ,2014-12-24

[4]

蚀刻方法和蚀刻设备 [P].

佐古卓司 ;

野口恭兵 ;

细野真树 ;

山本真弘 ;

尤伦·阿罗萨梅纳 .

日本专利 :CN118231244A ,2024-06-21

[5]

蚀刻设备及蚀刻方法 [P].

叶江波 .

中国专利 :CN105870008A ,2016-08-17

[6]

蚀刻方法和蚀刻设备 [P].

深泽孝之 ;

苏茂华 .

中国专利 :CN118610082A ,2024-09-06

[7]

蚀刻设备和蚀刻方法 [P].

戴建波 ;

孙文彬 .

中国专利 :CN115083871B ,2022-09-20

[8]

一种晶片边缘的蚀刻机及其蚀刻方法 [P].

刘岳良 .

中国专利 :CN1169197C ,2002-10-30

[9]

蚀刻设备及其蚀刻装置 [P].

苏骞 ;

刘全胜 ;

金永哲 ;

乌磊 ;

孟敏 .

中国专利 :CN205881882U ,2017-01-11

[10]

用于蚀刻小尺寸元件的蚀刻设备及蚀刻方法 [P].

石圣波 ;

姜圣毅 ;

唐家栋 ;

杨文章 ;

简群飞 .

中国专利 :CN117660962A ,2024-03-08

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