离子源温度控制装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580043549.1

申请日：

2015-06-11

公开(公告)号：

CN106575593B

公开(公告)日：

2017-04-19

发明(设计)人：

奎格·R·钱尼威廉·戴维斯·李奈尔·J·巴森

申请人：

申请人地址：

美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号

IPC主分类号：

H01J3708

IPC分类号：

G05D2300

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马爽;臧建明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-19	公开	公开
2017-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101719988147 IPC(主分类):H01J 37/08 专利申请号:2015800435491 申请日:20150611
2018-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

离子源恒流控制装置、方法以及离子源系统 [P].

刘运鸿 ;

刘伟基 ;

冀鸣 ;

赵刚 ;

易洪波 ;

曾文华 .

中国专利 :CN111176356B ,2020-05-19

[2]

射频离子源高压控制装置 [P].

李树瑜 ;

王一梅 .

中国专利 :CN211267225U ,2020-08-14

[3]

久保田尚树 ;

堀田哲广 .

中国专利 :CN1876894A ,2006-12-13

[4]

离子源及离子源的运转方法 [P].

平井裕也 ;

松本武 .

中国专利 :CN109559963B ,2019-04-02

[5]

电子轰击离子源控制系统 [P].

应刚 ;

张坤 .

中国专利 :CN102280348A ,2011-12-14

[6]

电子轰击离子源控制系统 [P].

应刚 ;

张坤 .

中国专利 :CN201829451U ,2011-05-11

[7]

离子源及其清洁方法 [P].

足立昌和 ;

平井裕也 ;

谷口智哉 .

中国专利 :CN111640639A ,2020-09-08

[8]

离子源及其清洁方法 [P].

足立昌和 ;

平井裕也 ;

谷口智哉 .

日本专利 :CN111640639B ,2024-03-22

[9]

中子发生器锐截止离子源控制装置 [P].

鲁保平 ;

岳爱忠 ;

李科 ;

秦力 ;

张秋健 .

中国专利 :CN2840074Y ,2006-11-22

[10]

一种离子源可调式扫描控制装置 [P].

沈波 ;

钱洁 ;

王怀泰 .

中国专利 :CN119786335A ,2025-04-08

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