一种磁控溅射靶与磁控溅射设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220066723.8

申请日：

2012-02-27

公开(公告)号：

CN202786406U

公开(公告)日：

2013-03-13

发明(设计)人：

陈岩杜晓健高博

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20120227 授权公告日:20130313 终止日期:20210227
2013-03-13	授权	授权
2015-07-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101718564680 IPC(主分类):C23C 14/34 专利号:ZL2012200667238 变更事项:专利权人变更前权利人:北京京东方光电科技有限公司变更后权利人:京东方科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号变更后权利人:100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:北京京东方光电科技有限公司登记生效日:20150707

共 50 条

[1]

一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备 [P].

魏钰 ;

宋博韬 ;

成军 ;

刘宁 .

中国专利 :CN205934012U ,2017-02-08

[2]

磁控溅射靶 [P].

王君久 ;

陈国华 ;

祝世国 .

中国专利 :CN202865323U ,2013-04-10

[3]

磁控溅射靶 [P].

周颖 ;

刘丽华 .

中国专利 :CN201634757U ,2010-11-17

[4]

磁控溅射靶 [P].

刘洋 ;

汪振南 ;

见东伟 ;

杨永雷 .

中国专利 :CN210104059U ,2020-02-21

[5]

一种磁控溅射靶座及磁控溅射设备 [P].

杨明 ;

王子彤 ;

解庆权 ;

王刚 ;

邢雪 ;

刘畅 ;

王磊 ;

石也琛 .

中国专利 :CN222226526U ,2024-12-24

[6]

磁控溅射靶 [P].

刘洋 ;

汪振南 ;

见东伟 ;

杨永雷 .

中国专利 :CN111621754A ,2020-09-04

[7]

磁控溅射靶 [P].

裴绍凯 .

中国专利 :CN101956170A ,2011-01-26

[8]

磁控溅射靶 [P].

马磊 ;

李子云 ;

张浙军 .

中国专利 :CN201506829U ,2010-06-16

[9]

磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置 [P].

裴绍凯 .

中国专利 :CN101988189A ,2011-03-23

[10]

一种磁控溅射设备的溅射靶 [P].

李聪 ;

潘振伟 ;

曲佳佳 ;

陈玲 ;

李靖 .

中国专利 :CN212713736U ,2021-03-16

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