CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410096136.3

申请日：

2004-11-26

公开(公告)号：

CN1626600A

公开(公告)日：

2005-06-15

发明(设计)人：

南幅学福岛大山本进矢野博之

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C09G116

IPC分类号：

H01L21304

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-06-15	公开	公开
2007-05-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2005-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[31]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特 ;

张景舜 ;

余典卫 ;

蔡家铭 ;

陈明德 .

中国专利 :CN111128737A ,2020-05-08

[32]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

C.坎彭 ;

A.迈泽 .

中国专利 :CN103915499A ,2014-07-09

[33]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

沼田英夫 ;

江泽弘和 ;

田窪知章 ;

高桥健司 ;

青木秀夫 ;

原田享 ;

金子尚史 ;

池上浩 ;

松尾美惠 ;

大村一郎 .

中国专利 :CN1758430A ,2006-04-12

[34]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吕俊颉 ;

让-皮埃尔·科林格 ;

后藤贤一 ;

吴志强 ;

林佑明 .

中国专利 :CN109103084B ,2018-12-28

[35]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

清水达雄 ;

山口豪 ;

西川幸江 .

中国专利 :CN1677691A ,2005-10-05

[36]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

五十岚信行 ;

鬼泽岳 ;

西藤哲史 .

中国专利 :CN103199103A ,2013-07-10

[37]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

陈建颖 ;

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN112447713B ,2025-02-28

[38]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

范妙璇 ;

李京桦 ;

陈明德 ;

李荣伟 ;

李培炜 .

中国专利 :CN112530869A ,2021-03-19

[39]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

波多野正喜 ;

高冈裕二 .

中国专利 :CN1835229A ,2006-09-20

[40]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

任桐贤 ;

李气范 ;

金旲炫 ;

魏胄滢 ;

尹成美 .

韩国专利 :CN112117322B ,2024-07-09

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