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CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200410096136.3
申请日：
2004-11-26
公开(公告)号：
CN1626600A
公开(公告)日：
2005-06-15
发明(设计)人：
南幅学
福岛大
山本进
矢野博之
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
C09G116
IPC分类号：
H01L21304
代理机构：
北京市中咨律师事务所
代理人：
杨晓光;李峥
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2005-06-15 | 公开 | 公开 |
| 2007-05-02 | 发明专利申请公布后的视为撤回 | 发明专利申请公布后的视为撤回 |
| 2005-08-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |