CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410096136.3

申请日：

2004-11-26

公开(公告)号：

CN1626600A

公开(公告)日：

2005-06-15

发明(设计)人：

南幅学福岛大山本进矢野博之

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C09G116

IPC分类号：

H01L21304

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-06-15	公开	公开
2007-05-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2005-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

用于CMP的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法 [P].

南幅学 ;

松井之辉 ;

矢野博之 .

中国专利 :CN1276959C ,2005-05-18

[2]

CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法 [P].

南幅学 ;

松井之辉 ;

矢野博之 .

中国专利 :CN1295758C ,2004-12-01

[3]

用于金属膜的CMP浆料、抛光方法以及制造半导体器件的方法 [P].

南幅学 ;

福岛大 ;

仓嶋延行 ;

山本进 ;

矢野博之 .

中国专利 :CN100562552C ,2006-11-01

[4]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

郑文一 ;

金度润 ;

高井健次 ;

文得圭 ;

尹民希 .

韩国专利 :CN112812691B ,2024-04-09

[5]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

高允锡 ;

李政勋 ;

池尚洙 ;

F·卡利尼纳 ;

李昡在 .

韩国专利 :CN119875513A ,2025-04-25

[6]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

郑文一 ;

金度润 ;

高井健次 ;

文得圭 ;

尹民希 .

中国专利 :CN112812691A ,2021-05-18

[7]

用于化学机械抛光的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法 [P].

南幅学 ;

松井之辉 ;

矢野博之 .

中国专利 :CN1292460C ,2006-12-27

[8]

抛光体、CMP抛光设备及半导体器件制造方法 [P].

星野进 ;

宇田丰 ;

菅谷功 .

中国专利 :CN1224082C ,2004-05-05

[9]

碳磨料和抛光浆料以及制造半导体器件的方法 [P].

高井健次 ;

金度润 .

中国专利 :CN112480867A ,2021-03-12

[10]

CMP研磨方法和半导体器件制造方法 [P].

星野进 ;

北出裕子 ;

吉田典夫 .

中国专利 :CN1777979A ,2006-05-24

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