干蚀刻装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120856909.2

申请日：

2021-04-23

公开(公告)号：

CN215266202U

公开(公告)日：

2021-12-21

发明(设计)人：

彭军欧凤权亚平叶明军张洋铭荣晓娇王运均谢超

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01J37305 H01J3732

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

许静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

干蚀刻装置 [P].

彭军 ;

欧凤 ;

权亚平 ;

叶明军 ;

张洋铭 ;

王运均 .

中国专利 :CN213660361U ,2021-07-09

[2]

干蚀刻装置及干蚀刻方法 [P].

及川弘太 .

中国专利 :CN1649105A ,2005-08-03

[3]

干蚀刻方法及干蚀刻装置 [P].

小藤直行 ;

桑原谦一 .

中国专利 :CN111801773A ,2020-10-20

[4]

干蚀刻装置 [P].

朱浩 .

中国专利 :CN220672531U ,2024-03-26

[5]

干蚀刻装置 [P].

刘圣烈 ;

崔承镇 ;

宋泳锡 ;

董敏 .

中国专利 :CN101656192B ,2010-02-24

[6]

干蚀刻装置 [P].

周婷婷 .

中国专利 :CN218299746U ,2023-01-13

[7]

干蚀刻装置 [P].

崔钟龙 .

中国专利 :CN101620989B ,2010-01-06

[8]

干蚀刻装置 [P].

朱健 ;

马涛 .

中国专利 :CN221947073U ,2024-11-01

[9]

干蚀刻装置 [P].

崔钟龙 .

中国专利 :CN102290328A ,2011-12-21

[10]

干式蚀刻装置及干式蚀刻方法 [P].

森川泰宏 ;

邹红红 ;

林俊雄 .

中国专利 :CN101681830B ,2010-03-24

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