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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200710182288.9
申请日：
2000-08-30
公开(公告)号：
CN101150135B
公开(公告)日：
2008-03-26
发明(设计)人：
柴田宽
矶部敦生
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L23528
G02F11362
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
陈景峻
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2008-03-26 | 公开 | 公开 |
| 2008-05-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2019-08-16 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20000830 授权公告日:20100407 终止日期:20180830 |
| 2010-04-07 | 授权 | 授权 |