用于半导体功能材料表面缺陷调控的等离子体反应装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120404168.4

申请日：

2021-02-24

公开(公告)号：

CN214277995U

公开(公告)日：

2021-09-24

发明(设计)人：

隋美蓉唐鹤云刘琳琳

申请人：

申请人地址：

221000 江苏省徐州市鼓楼区铜山路209号

IPC主分类号：

G01N2762

IPC分类号：

代理机构：

徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353

代理人：

陈俊杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	授权	授权

共 50 条

[21]

半导体衬底的等离子体处理装置用反应室容器 [P].

坂田雅和 .

中国专利 :CN301090812D ,2009-12-23

[22]

用于等离子体反应器的增强等离子体源 [P].

V·N·托多罗 ;

G·勒雷 ;

M·D·威尔沃斯 ;

L-S·蒋 .

中国专利 :CN105340059A ,2016-02-17

[23]

高通量等离子体反应装置 [P].

张婧 ;

张铁 ;

任君朋 ;

孙峰 ;

徐伟 ;

石宁 ;

金满平 .

中国专利 :CN208553673U ,2019-03-01

[24]

格栅式等离子体反应装置 [P].

张婧 ;

张铁 ;

石宁 ;

徐伟 ;

任君朋 ;

孙峰 ;

李亚辉 .

中国专利 :CN208554137U ,2019-03-01

[25]

用于等离子体供给装置的模块和等离子体供给装置 [P].

D·克劳瑟 .

中国专利 :CN202721890U ,2013-02-06

[26]

表面波等离子体装置和半导体处理设备 [P].

赵晓丽 .

中国专利 :CN110797248A ,2020-02-14

[27]

等离子体产生装置和半导体设备 [P].

昌锡江 .

中国专利 :CN108811290A ,2018-11-13

[28]

远程等离子体辅助的半导体刻蚀表面清洁方法 [P].

潘小刚 ;

朱国俊 .

中国专利 :CN121096926A ,2025-12-09

[29]

用于半导体等离子体设备中的水平调整装置 [P].

王燚 ;

范川 ;

周仁 ;

刘忆军 ;

吴梦瑶 .

中国专利 :CN205081088U ,2016-03-09

[30]

用于提纯半导体材料的包括等离子体焰炬的设备 [P].

帕斯卡·里瓦特 ;

伊曼纽尔·弗拉奥 ;

克里斯蒂安·特拉斯 ;

弗朗索瓦·库科 ;

艾蒂安·格罗西耶 .

中国专利 :CN101970351B ,2011-02-09

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