用于半导体功能材料表面缺陷调控的等离子体反应装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120404168.4

申请日：

2021-02-24

公开(公告)号：

CN214277995U

公开(公告)日：

2021-09-24

发明(设计)人：

隋美蓉唐鹤云刘琳琳

申请人：

申请人地址：

221000 江苏省徐州市鼓楼区铜山路209号

IPC主分类号：

G01N2762

IPC分类号：

代理机构：

徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353

代理人：

陈俊杰

法律状态：

授权

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	授权	授权

共 50 条

[41]

等离子体约束环、等离子体处理设备及处理半导体的方法 [P].

叶如彬 .

中国专利 :CN115547799A ,2022-12-30

[42]

等离子体反应装置、半导体零部件及其处理方法 [P].

孙祥 ;

王枫 ;

丛海 .

中国专利 :CN119495541A ,2025-02-21

[43]

等离子体发生设备和半导体加工设备 [P].

项习飞 ;

田才忠 ;

林保璋 ;

李士昌 .

中国专利 :CN216905414U ,2022-07-05

[44]

原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法 [P].

刘新宇 ;

尤楠楠 ;

王盛凯 ;

白云 .

中国专利 :CN109922590A ,2019-06-21

[45]

等离子体发生器以及化学液的等离子体处理装置 [P].

程久华 .

中国专利 :CN209010185U ,2019-06-21

[46]

一种等离子体反应装置 [P].

万永东 ;

彭帆 .

中国专利 :CN218160274U ,2022-12-27

[47]

等离子体自光极化反应装置 [P].

李坚 ;

竹涛 ;

梁文俊 ;

金毓峑 ;

豆宝娟 .

中国专利 :CN201108809Y ,2008-09-03

[48]

用于提供等离子体的装置及半导体处理腔室 [P].

张俊生 .

中国专利 :CN115799033B ,2025-05-23

[49]

半导体处理用的立式等离子体处理装置 [P].

松浦广行 ;

高桥俊树 ;

佐藤润 ;

相川胜芳 ;

石井胜利 .

中国专利 :CN101042992B ,2007-09-26

[50]

用于半导体晶片干燥蚀刻的等离子体加工装置 [P].

吉田和由 .

中国专利 :CN1158003A ,1997-08-27

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