常关型场效应晶体管及其制造方法和编程功率场效应晶体管的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110210070.6
申请日
2011-07-26
公开(公告)号
CN102347372A
公开(公告)日
2012-02-08
发明(设计)人
A.莫德 H.施特拉克 W.沃纳
申请人
申请人地址
奥地利菲拉赫
IPC主分类号
H01L29792
IPC分类号
H01L21336
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
曲宝壮;李家麟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
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场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P]. 
B·J·帕夫拉克 .
中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21
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场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管 [P]. 
笠井直记 ;
中原宁 ;
木村央 ;
深井利宪 .
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功率场效应晶体管 [P]. 
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常关型场效应晶体管 [P]. 
王元刚 ;
冯志红 ;
吕元杰 ;
房玉龙 ;
周幸叶 ;
宋旭波 ;
谭鑫 ;
蔚翠 .
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场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P]. 
A·库马尔 .
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场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法 [P]. 
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场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P]. 
椿茂树 .
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M·G·萨乔 ;
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场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
李忠湖 ;
尹在万 ;
朴东健 ;
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