半导体结构、集成电路器件及形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610602228.7

申请日：

2016-07-28

公开(公告)号：

CN106527051A

公开(公告)日：

2017-03-22

发明(设计)人：

马世宪吴浩铨蔡士豪林育诠

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F716 H01L21027 H01L2702 H01L2182

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F 7/20 申请公布日:20170322
2017-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构、集成电路及形成半导体结构的方法 [P].

赖韦安 ;

彭士玮 ;

林威呈 ;

曾健庭 .

中国专利 :CN114927519A ,2022-08-19

[2]

半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法 [P].

陈胜捷 ;

刘铭棋 .

中国专利 :CN112530974B ,2024-10-29

[3]

半导体结构及半导体集成电路结构 [P].

刘铁 .

中国专利 :CN208489192U ,2019-02-12

[4]

半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法 [P].

陈胜捷 ;

刘铭棋 .

中国专利 :CN112530974A ,2021-03-19

[5]

半导体结构及形成集成电路结构的方法 [P].

林大钧 ;

许博钦 ;

潘国华 ;

廖忠志 ;

林志勇 .

中国专利 :CN110416303A ,2019-11-05

[6]

集成电路及形成半导体结构的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN111863805A ,2020-10-30

[7]

集成电路及形成半导体结构的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN111863805B ,2024-12-03

[8]

半导体集成电路器件及半导体集成电路器件的制造方法 [P].

杉山雅夫 ;

金子义之 ;

近藤由宪 ;

平泽贤齐 .

中国专利 :CN101714525A ,2010-05-26

[9]

半导体结构、包括半导体结构的集成电路及制造半导体结构的方法 [P].

菲利普·雷诺 .

中国专利 :CN102292812B ,2011-12-21

[10]

集成电路、半导体结构 [P].

杨皓麟 ;

黄冠杰 ;

徐伟诚 ;

王子睿 ;

王铨中 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN222088606U ,2024-11-29

← 1 2 3 4 5 →