SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210438925.5

申请日：

2012-11-06

公开(公告)号：

CN103803482B

公开(公告)日：

2014-05-21

发明(设计)人：

郝智彪钮浪胡健楠汪莱罗毅

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园北京市100084-82信箱

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

王莹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-10	授权	授权
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583096121 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2012104389255 申请日:20121106
2014-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

在SOI衬底上形成的半导体器件 [P].

赵勇洙 .

中国专利 :CN209298120U ,2019-08-23

[2]

半导体器件、衬底和用于制造半导体层序列的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

帕特里克·罗德 ;

菲利普·德雷克塞尔 .

中国专利 :CN103003917A ,2013-03-27

[3]

半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 [P].

橘浩一 ;

本乡智惠 ;

布上真也 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1741296A ,2006-03-01

[4]

SOI衬底及其制造方法和半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101669193B ,2010-03-10

[5]

衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件 [P].

李商文 ;

曹永真 ;

李明宰 .

中国专利 :CN104103675A ,2014-10-15

[6]

SOI衬底结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN108550591A ,2018-09-18

[7]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[8]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

菲利普·德雷克塞尔 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107104175B ,2017-08-29

[9]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

菲利普·德雷克塞尔 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN103069583A ,2013-04-24

[10]

半导体结构及其形成方法、形成SOI衬底的方法 [P].

吴政达 ;

刘冠良 .

中国专利 :CN112582331A ,2021-03-30

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