半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780040949.6

申请日：

2017-06-02

公开(公告)号：

CN109417096A

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

小杉亮治纪世阳望月和浩河田泰之绞缬英典

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2912

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

玉昌峰;李罡

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170602
2022-02-18	授权	授权
2019-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

白滨聪 .

中国专利 :CN101877337A ,2010-11-03

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

林弘德 ;

尤宏誌 ;

刘家玮 .

中国专利 :CN114783941A ,2022-07-22

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

林鑫成 .

中国专利 :CN104979389A ,2015-10-14

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

砂村润 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103681691A ,2014-03-26

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

高野和丰 .

中国专利 :CN102024812A ,2011-04-20

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

曽谷直哉 ;

长谷川勋 ;

井手大辅 .

中国专利 :CN100448030C ,2005-11-30

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

由上二郎 ;

岩松俊明 ;

堀田胜之 ;

槙山秀树 ;

井上靖朗 ;

山本芳树 .

中国专利 :CN103137705A ,2013-06-05

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

砂村润 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN107256846A ,2017-10-17

[10]

柔性半导体装置及其制造方法 [P].

一柳贵志 ;

中谷诚一 ;

平野浩一 .

中国专利 :CN102576678A ,2012-07-11

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