MEMS压力传感器阵列、其制作方法及压力测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210564055.6

申请日：

2012-12-21

公开(公告)号：

CN103063350A

公开(公告)日：

2013-04-24

发明(设计)人：

黎坡

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

G01L912

IPC分类号：

B81B300 B81C100

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700517847 IPC(主分类):G01L 9/12 专利申请号:2012105640556 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140408
2016-04-13	授权	授权
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583993136 IPC(主分类):G01L 9/12 专利申请号:2012105640556 申请日:20121221
2013-04-24	公开	公开

共 50 条

[1]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

关荣锋 ;

田大垒 ;

赵文卿 ;

王杏 .

中国专利 :CN101738280B ,2010-06-16

[2]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

柳连俊 .

中国专利 :CN102156012A ,2011-08-17

[3]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

柳连俊 .

中国专利 :CN102183335A ,2011-09-14

[4]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

郑超 ;

许继辉 ;

于佳 .

中国专利 :CN104949776A ,2015-09-30

[5]

MEMS压力传感器及其制作方法 [P].

张鹏举 ;

刘汉青 ;

张郑欣 ;

郭蕾 ;

张佳立 ;

崔军蕊 ;

付和平 ;

田总福 ;

陈龙 .

中国专利 :CN119803739A ,2025-04-11

[6]

MEMS压力传感器制造方法及MEMS压力传感器 [P].

朱恩成 ;

陈磊 ;

张强 ;

闫文明 .

中国专利 :CN113432777A ,2021-09-24

[7]

MEMS压力传感器的空腔制作方法 [P].

张亚娇 .

中国专利 :CN118811768A ,2024-10-22

[8]

压力传感器及压力传感器的制作方法 [P].

朱恩成 ;

陈磊 ;

张强 ;

王栋杰 ;

胡洪 .

中国专利 :CN115655534A ,2023-01-31

[9]

压力传感器及压力传感器的制作方法 [P].

朱恩成 ;

陈磊 ;

张强 ;

王栋杰 ;

胡洪 .

中国专利 :CN115655534B ,2025-02-25

[10]

光纤压力传感器、光纤压力传感系统及压力测量方法 [P].

朱梅冬 ;

陆建鑫 .

中国专利 :CN108871658A ,2018-11-23

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