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半导体芯片耐高压测试装置
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201020185398.8
申请日：
2010-05-11
公开(公告)号：
CN201740845U
公开(公告)日：
2011-02-09
发明(设计)人：
汪良恩
申请人：
申请人地址：
225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期
IPC主分类号：
G01R3112
IPC分类号：
G01R3126
代理机构：
北京连和连知识产权代理有限公司 11278
代理人：
奚衡宝
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-05-29 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/12 申请日:20100511 授权公告日:20110209 终止日期:20170511 |
| 2011-02-09 | 授权 | 授权 |