一种半导体芯片耐高压测试装置

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专利类型
实用新型
申请号
CN201821576375.2
申请日
2018-09-27
公开(公告)号
CN208833876U
公开(公告)日
2019-05-07
发明(设计)人
何俊 肖尧
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田社区汇龙达工业园厂房B3楼东侧
IPC主分类号
G01R3126
IPC分类号
代理机构
北京中济纬天专利代理有限公司 11429
代理人
卢春华
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体芯片耐高压测试装置 [P]. 
汪良恩 .
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[2]
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[3]
一种用于MOS双极芯片的耐高压测试装置 [P]. 
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[4]
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
一种半导体芯片测试装置 [P]. 
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