具有选择性接合垫保护的CMOS-MEMS积体电路装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610282659.X

申请日：

2016-04-29

公开(公告)号：

CN106098574A

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

D·李

申请人：

申请人地址：

美国，加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	公开	公开
2018-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20160429
2021-03-23	授权	授权

共 6 条

[1]

用于CMOS装置的接触层的选择性覆盖 [P].

阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ;

B·普拉纳瑟提哈兰 ;

尼古拉斯·路易斯·布雷尔 .

美国专利 :CN119522642A ,2025-02-25

[2]

封装装置、MEMS以及用于选择性封装的方法 [P].

P.罗塔彻尔 .

中国专利 :CN102105390A ,2011-06-22

[3]

具有选择性掺杂栅极电极结构的半导体装置 [P].

D·瓦格赫塞 ;

亨利·利茨曼·爱德华兹 ;

郝平海 .

美国专利 :CN120883747A ,2025-10-31

[4]

具有场聚合物保护的方向性选择性接面清洁 [P].

雷雨 ;

路雪松 ;

河泰泓 ;

唐先敏 ;

安德鲁·阮 ;

龚则敬 ;

菲利普·A·克劳斯 ;

刘仲楠 ;

孙晖 ;

呼宇飞 .

中国专利 :CN114930508A ,2022-08-19

[5]

阻挡层的选择性实施以实现在具有高k电介质的CMOS器件制造中的阈值电压控制 [P].

N·A·小博亚尔祖克 ;

C·小卡布拉尔 ;

E·A·卡蒂尔 ;

M·W·库珀 ;

M·M·弗兰克 ;

E·P·古塞夫 ;

S·古哈 ;

R·詹米 ;

V·纳拉亚南 ;

V·K·帕鲁许里 .

中国专利 :CN101427386A ,2009-05-06

[6]

具有选择性背侧电力和地分配以及最大面积去耦电容器的半导体电路 [P].

D·M·雷伯 ;

R·布杉 .

:CN120201767A ,2025-06-24