一种半导体器件的保护方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110846930.9

申请日：

2021-07-27

公开(公告)号：

CN113299540A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

杨崇秋吉成东周林

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区环城北路中国非晶城9号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

B24B3704 B24B3708

代理机构：

江苏长德知识产权代理有限公司 32478

代理人：

詹朝

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-07	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20210824
2021-08-24	公开	公开
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210727

共 50 条

[1]

一种半导体器件及半导体器件的制作方法 [P].

耿玓 ;

王桂磊 ;

赵超 ;

李伟伟 ;

卢年端 ;

李泠 .

中国专利 :CN118317600A ,2024-07-09

[2]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

邵光速 ;

肖德元 ;

白卫平 .

中国专利 :CN114121819A ,2022-03-01

[3]

一种半导体器件及半导体器件的制备方法 [P].

李立均 ;

王敏 ;

周豪 ;

郭元旭 .

中国专利 :CN118235256A ,2024-06-21

[4]

一种半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

闫书萌 ;

程川 ;

陈利杰 .

中国专利 :CN118943172A ,2024-11-12

[5]

一种半导体器件的加工制造装置 [P].

于富强 ;

闵祥峰 ;

滕兆伟 ;

冯立国 ;

马强 .

中国专利 :CN114161063A ,2022-03-11

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

杨玉麟 ;

李东颖 ;

余绍铭 ;

郑兆钦 ;

陈自强 ;

黄昭宪 .

中国专利 :CN109427672A ,2019-03-05

[8]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

原田望 .

中国专利 :CN102792452A ,2012-11-21

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[10]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

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