III族氮化物半导体激光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280041775.2

申请日：

2012-04-13

公开(公告)号：

CN103797665A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

住友隆道京野孝史上野昌纪善积祐介盐谷阳平足立真宽高木慎平梁岛克典

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01S5042

IPC分类号：

H01S522 H01S5343

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李亚;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	公开	公开
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582908011 IPC(主分类):H01S 5/042 专利申请号:2012800417752 申请日:20120413
2017-05-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751423235 IPC(主分类):H01S 5/042 专利申请号:2012800417752 申请公布日:20140514

共 50 条

[31]

III族氮化物半导体的制造方法、III族氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

横山泰典 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101925979B ,2010-12-22

[32]

III族氮化物半导体设备 [P].

桥本信 ;

秋田胜史 ;

中幡英章 ;

天野浩 .

中国专利 :CN102484076B ,2012-05-30

[33]

III族氮化物半导体器件 [P].

千代敏明 ;

伊藤润 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1486513A ,2004-03-31

[34]

III族氮化物半导体基板 [P].

后藤裕辉 ;

石原裕次郎 .

中国专利 :CN110431258A ,2019-11-08

[35]

制造III族氮化物半导体发光元件的方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 .

中国专利 :CN102694085B ,2012-09-26

[36]

III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

八百隆文 ;

藤井克司 .

中国专利 :CN103348043B ,2013-10-09

[37]

III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板 [P].

鸟羽隆一 ;

宫下雅仁 ;

八百隆文 ;

藤井克司 .

中国专利 :CN105529248A ,2016-04-27

[38]

III族氮化物半导体晶体、III族氮化物半导体器件以及发光器件 [P].

中畑成二 ;

中幡英章 ;

上松康二 ;

木山诚 ;

永井阳一 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101882571A ,2010-11-10

[39]

外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

嵯峨宣弘 ;

足立真宽 ;

住吉和英 ;

德山慎司 ;

高木慎平 ;

池上隆俊 ;

上野昌纪 ;

片山浩二 .

中国专利 :CN103606817A ,2014-02-26

[40]

III族氮化物层叠基板和半导体元件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

木村健司 .

中国专利 :CN112838148A ,2021-05-25

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