III族氮化物半导体激光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280041775.2

申请日：

2012-04-13

公开(公告)号：

CN103797665A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

住友隆道京野孝史上野昌纪善积祐介盐谷阳平足立真宽高木慎平梁岛克典

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01S5042

IPC分类号：

H01S522 H01S5343

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李亚;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	公开	公开
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582908011 IPC(主分类):H01S 5/042 专利申请号:2012800417752 申请日:20120413
2017-05-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751423235 IPC(主分类):H01S 5/042 专利申请号:2012800417752 申请公布日:20140514

共 50 条

[41]

III族氮化物层叠基板和半导体元件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

木村健司 .

日本专利 :CN112838148B ,2025-12-19

[42]

III族氮化物半导体光元件、外延衬底 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

京野孝史 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474076B ,2012-05-23

[43]

III族氮化物半导体元件及外延晶片 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

上野昌纪 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN101990698B ,2011-03-23

[44]

Ⅲ族氮化物半导体光元件 [P].

上野昌纪 ;

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

住友隆道 ;

足立真宽 ;

德山慎司 .

中国专利 :CN102124578A ,2011-07-13

[45]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

瀧哲也 .

中国专利 :CN100490199C ,2007-10-10

[46]

氮化物半导体激光元件 [P].

吉田真治 ;

持田笃范 ;

冈口贵大 .

中国专利 :CN104364983A ,2015-02-18

[47]

氮化物半导体激光元件 [P].

佐野雅彦 .

中国专利 :CN1203596C ,2003-03-19

[48]

氮化物半导体激光元件 [P].

狩野隆司 .

中国专利 :CN102208754A ,2011-10-05

[49]

III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法 [P].

上野昌纪 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102034910A ,2011-04-27

[50]

氮化物半导体激光元件 [P].

驹田聪 ;

津田有三 .

中国专利 :CN109787087A ,2019-05-21

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