III族氮化物半导体激光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280041775.2

申请日：

2012-04-13

公开(公告)号：

CN103797665A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

住友隆道京野孝史上野昌纪善积祐介盐谷阳平足立真宽高木慎平梁岛克典

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01S5042

IPC分类号：

H01S522 H01S5343

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李亚;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	公开	公开
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582908011 IPC(主分类):H01S 5/042 专利申请号:2012800417752 申请日:20120413
2017-05-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751423235 IPC(主分类):H01S 5/042 专利申请号:2012800417752 申请公布日:20140514

共 50 条

[21]

III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

德山慎司 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102025104B ,2011-04-20

[22]

III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

西塚幸司 .

中国专利 :CN103190042A ,2013-07-03

[23]

III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474075B ,2012-05-23

[24]

III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件 [P].

吉本晋 ;

三桥史典 .

中国专利 :CN103098241A ,2013-05-08

[25]

第III族氮化物基半导体元件 [P].

德山慎司 ;

上野昌纪 ;

足立真宽 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

片山浩二 ;

齐藤吉广 .

中国专利 :CN102422446A ,2012-04-18

[26]

III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 ;

松浦尚 ;

滨口达史 ;

古岛裕司 .

中国专利 :CN104916751A ,2015-09-16

[27]

III族氮化物半导体激光器元件、III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102934302A ,2013-02-13

[28]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

上村俊也 ;

伊藤润 .

中国专利 :CN102024892A ,2011-04-20

[29]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

矢羽田孝辅 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102694101A ,2012-09-26

[30]

P型Ⅲ族氮化物半导体以及Ⅲ族氮化物半导体元件 [P].

木下亨 ;

柳裕之 ;

高田和哉 .

中国专利 :CN101636853A ,2010-01-27

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