半导体器件及半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111065543.8

申请日：

2021-09-13

公开(公告)号：

CN113540965A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

惠利省杨国文

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室

IPC主分类号：

H01S5024

IPC分类号：

H01S5042 H01L2941 H01L23367 H01L23373

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

李青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	公开	公开
2021-12-21	授权	授权
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/024 申请日:20210913

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制备方法 [P].

许建华 ;

乐伶聪 ;

杨天应 .

中国专利 :CN114141736B ,2022-03-04

[2]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

张魁 ;

应战 .

中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28

[3]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

丁文凤 ;

吴卓杰 ;

唐凌 ;

王岩 ;

覃庆媛 .

中国专利 :CN118299271A ,2024-07-05

[4]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

林笛 ;

黄艳 ;

赵晓燕 ;

李鑫昊 ;

范明远 .

中国专利 :CN118073206B ,2024-07-23

[5]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

张魁 ;

应战 .

中国专利 :CN113990800A ,2022-01-28

[6]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

林笛 ;

黄艳 ;

赵晓燕 ;

李鑫昊 ;

范明远 .

中国专利 :CN118073206A ,2024-05-24

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

魏青云 ;

赖志国 ;

杨清华 .

中国专利 :CN117478091A ,2024-01-30

[8]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

王飞飞 ;

李健飞 ;

徐宝盈 ;

杨志政 .

中国专利 :CN120432382A ,2025-08-05

[9]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

方冬 ;

卞铮 .

中国专利 :CN111200018B ,2020-05-26

[10]

半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

佟金阳 ;

姚中辉 .

中国专利 :CN119890044B ,2025-06-20

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