接触电极的制备方法、Mirco-LED阵列器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202111486051.6

申请日：

2021-12-07

公开(公告)号：

CN114420798A

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

黄炳铨张珂吴涛

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3336 H01L3344 H01L2715

代理机构：

深圳中细软知识产权代理有限公司 44528

代理人：

田丽丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20211207
2022-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

谭永亮 ;

吕鑫 ;

赵红刚 ;

胡泽先 ;

崔玉兴 ;

付兴昌 .

中国专利 :CN108597997B ,2018-09-28

[2]

欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法 [P].

周炳 ;

陈雨雁 ;

龙飞 ;

陈明光 ;

郑国源 ;

莫淑一 .

中国专利 :CN109712877A ,2019-05-03

[3]

AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108364864A ,2018-08-03

[4]

一种接触电极制备方法及MOSFET功率器件 [P].

田亮 ;

桑玲 ;

王嘉铭 ;

夏经华 ;

李玲 ;

李永平 ;

李嘉琳 ;

焦倩倩 ;

杜玉杰 ;

杨霏 .

中国专利 :CN108231559A ,2018-06-29

[5]

一种SiC衬底LED的欧姆接触电极制备方法 [P].

沈燕 ;

徐现刚 ;

徐化勇 ;

王成新 ;

李树强 .

中国专利 :CN101908591A ,2010-12-08

[6]

一种mini LED芯片接触电极及制备方法 [P].

李文涛 ;

鲁洋 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116130576B ,2024-10-25

[7]

LED阵列及其制备方法 [P].

朱浩 ;

范振灿 ;

刘国旭 .

中国专利 :CN109037201A ,2018-12-18

[8]

一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法 [P].

王浩敏 ;

谢红 ;

李蕾 ;

王慧山 ;

贺立 ;

陈令修 ;

张道礼 ;

邓联文 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN105070347A ,2015-11-18

[9]

一种GaN基HEMT器件的欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

罗玲 ;

吴能滔 ;

李善杰 .

中国专利 :CN117393423A ,2024-01-12

[10]

相变存储器接触电极的制备方法及相变存储器接触电极 [P].

孔涛 ;

卫芬芬 ;

黄荣 ;

张杰 ;

程国胜 .

中国专利 :CN103515535A ,2014-01-15

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