等离子体处理装置及硅片温度测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610956544.4

申请日：

2016-10-27

公开(公告)号：

CN108010838B

公开(公告)日：

2018-05-08

发明(设计)人：

吴磊涂乐义黄国民

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01J3732 G01N2500 G01N2516

代理机构：

上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249

代理人：

朱成之

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-12	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/3065 变更事项:申请人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2018-05-08	公开	公开
2020-09-04	授权	授权
2018-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20161027

共 50 条

[1]

等离子体处理装置和温度测量方法 [P].

山田和人 ;

田面木真也 .

日本专利 :CN119744437A ,2025-04-01

[2]

F密度测量方法、等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P].

本田昌伸 .

中国专利 :CN1828274A ,2006-09-06

[3]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

佐藤阳介 ;

宇井明生 ;

林久贵 .

中国专利 :CN105280489A ,2016-01-27

[4]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

有田洁 ;

岩井哲博 ;

寺山纯一 .

中国专利 :CN1516890A ,2004-07-28

[5]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

佐藤阳介 ;

宇井明生 ;

酒井伊都子 .

中国专利 :CN107591308A ,2018-01-16

[6]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

平山昌树 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN102057465A ,2011-05-11

[7]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

吉田绚 ;

河野和则 .

中国专利 :CN114496709A ,2022-05-13

[8]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

青木裕介 ;

森北信也 ;

户花敏胜 ;

高田郁弥 .

中国专利 :CN111477531A ,2020-07-31

[9]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

岩濑拓 ;

荒濑高男 ;

寺仓聪志 ;

渡边勇人 ;

森政士 .

中国专利 :CN111373511A ,2020-07-03

[10]

等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

舆水地盐 ;

广津信 ;

池田武信 ;

永海幸一 ;

桧森慎司 .

日本专利 :CN119153303A ,2024-12-17

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