一种实现短波长紫外LED的外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720278084.4

申请日：

2017-03-21

公开(公告)号：

CN206742273U

公开(公告)日：

2017-12-12

发明(设计)人：

何苗黄波熊德平杨思攀王润

申请人：

申请人地址：

510062 广东省广州市越秀区东风东路729号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3332 H01L3314

代理机构：

广东广信君达律师事务所 44329

代理人：

杨晓松

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-12	授权	授权
2021-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/02 申请日:20170321 授权公告日:20171212 终止日期:20200321

共 50 条

[21]

一种具有应变减少结构的量子阱绿光LED外延结构 [P].

贾志刚 ;

卢太平 ;

董海亮 ;

梁建 ;

马淑芳 ;

许并社 .

中国专利 :CN109065681A ,2018-12-21

[22]

一种AlGaN基紫外LED外延结构 [P].

谷怀民 ;

石恒志 ;

李继航 ;

刘娜娜 .

中国专利 :CN110473941A ,2019-11-19

[23]

铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯 [P].

李光 .

中国专利 :CN209266432U ,2019-08-16

[24]

一种深紫外LED外延结构、包含其的深紫外LED器件及制备方法 [P].

彭孟 ;

许琳琳 ;

陈剑 ;

尹君扬 ;

刘念 ;

张毅 ;

戴江南 ;

张伟 ;

何云斌 ;

陈长清 .

中国专利 :CN121218747A ,2025-12-26

[25]

一种有效提高紫外LED内量子效率的外延结构 [P].

白欣娇 ;

袁凤坡 ;

李晓波 ;

皮义群 .

中国专利 :CN212257438U ,2020-12-29

[26]

一种深紫外LED芯片的外延结构及其制备方法 [P].

陈谦 ;

高扬 ;

郑志华 ;

张毅 ;

张爽 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN109103313A ,2018-12-28

[27]

一种紫外LED的外延生长方法 [P].

徐平 ;

刘康 ;

龚彬彬 .

中国专利 :CN112259648A ,2021-01-22

[28]

一种具有双缓冲层的GaN基LED外延结构 [P].

孙一军 ;

程志渊 ;

周强 ;

孙颖 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

王妹芳 ;

盛况 .

中国专利 :CN207818601U ,2018-09-04

[29]

一种带有渐变式DBR层的蓝光LED外延结构 [P].

韩蕊蕊 ;

田海军 ;

马淑芳 .

中国专利 :CN204102924U ,2015-01-14

[30]

一种氮化物紫外LED的外延结构 [P].

丛银梦 .

中国专利 :CN211182234U ,2020-08-04

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