半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380007460.0

申请日：

2013-01-24

公开(公告)号：

CN104094409A

公开(公告)日：

2014-10-08

发明(设计)人：

宫本忠芳伊东一笃森重恭宫本光伸小川康行中泽淳内田诚一松尾拓哉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

G02F11368 H01L21336

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587996554 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2013800074600 申请日:20130124
2014-10-08	公开	公开
2016-11-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

森重恭 ;

宫本光伸 ;

小川康行 ;

中泽淳 ;

内田诚一 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN104081507A ,2014-10-01

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

内田诚一 ;

小川康行 ;

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

高丸泰 ;

中泽淳 ;

宫本光伸 .

中国专利 :CN104380474A ,2015-02-25

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

森重恭 ;

宫本光伸 ;

小川康行 ;

中泽淳 ;

松尾拓哉 ;

内田诚一 .

中国专利 :CN104094386B ,2014-10-08

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

嶋田幸峰 ;

锦博彦 ;

纪藤贤一 .

中国专利 :CN104620389B ,2015-05-13

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN103779423A ,2014-05-07

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

肥塚纯一 ;

岛行德 ;

德永肇 ;

佐佐木俊成 ;

村山佳右 ;

松林大介 .

中国专利 :CN108649066A ,2018-10-12

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫本忠芳 ;

伊东一笃 ;

宫本光伸 ;

高丸泰 .

中国专利 :CN104205310A ,2014-12-10

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

金子寿辉 ;

木村史哉 .

中国专利 :CN115377211A ,2022-11-22

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

内田诚一 .

中国专利 :CN105814481A ,2016-07-27

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

北角英人 .

中国专利 :CN105027296A ,2015-11-04

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