半导体处理工艺及半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410110061.3

申请日：

2014-03-24

公开(公告)号：

CN103871902A

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

李全波黄君孟祥国张瑜

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21322

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

王宏婧

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20140618
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583762664 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014101100613 申请日:20140324
2014-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体处理工艺及半导体元器件 [P].

朴相荣 ;

金志勋 ;

金玄永 ;

徐康元 .

中国专利 :CN113223951B ,2021-08-06

[2]

处理半导体器件的方法及半导体器件 [P].

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN103021853A ,2013-04-03

[3]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870A ,2022-11-15

[4]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

熊伟 ;

陈华伦 ;

钱文生 ;

胡君 .

中国专利 :CN111128700A ,2020-05-08

[5]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

史仁先 ;

王国峰 .

中国专利 :CN114334632B ,2025-08-22

[6]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

史仁先 ;

王国峰 .

中国专利 :CN114334632A ,2022-04-12

[7]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870B ,2025-12-30

[8]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

刘志国 ;

李寿全 ;

张彦飞 ;

刘梦新 ;

温霄霞 .

中国专利 :CN119421459B ,2025-04-25

[9]

半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

周耀辉 ;

秦仁刚 ;

孙晓峰 ;

文浩宇 .

中国专利 :CN111987040A ,2020-11-24

[10]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

胡燕萌 ;

岳丹诚 .

中国专利 :CN117727786A ,2024-03-19

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