包括相对低的电阻率的芯的互连导线

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111073470.7

申请日：

2014-09-25

公开(公告)号：

CN113809003A

公开(公告)日：

2021-12-17

发明(设计)人：

俞辉在 T·K·因杜库里 R·V·谢比亚姆 J·S·克拉克

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	公开	公开
2022-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20140925

共 50 条

[1]

包括相对低的电阻率的芯的互连导线 [P].

俞辉在 ;

T·K·因杜库里 ;

R·V·谢比亚姆 ;

J·S·克拉克 .

中国专利 :CN107731785B ,2018-02-23

[2]

包括相对低的电阻率的芯的互连导线 [P].

俞辉在 ;

T·K·因杜库里 ;

R·V·谢比亚姆 ;

J·S·克拉克 .

中国专利 :CN105493243A ,2016-04-13

[3]

常温低电阻率导线的生产方法 [P].

李季泉 ;

王焕昌 .

中国专利 :CN1081278A ,1994-01-26

[4]

低电阻率的钽 [P].

E·C·库尼三世 ;

C·E·乌佐 .

中国专利 :CN1290940A ,2001-04-11

[5]

低电阻率触点和互连部 [P].

拉伊汉·M·塔拉夫达尔 ;

照健·史蒂文·黎 ;

罗郑硕 .

中国专利 :CN115668480A ,2023-01-31

[6]

一种低电阻率的输电导线 [P].

朱宁 .

中国专利 :CN211907037U ,2020-11-10

[7]

具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构 [P].

H·P·阿曼亚普 ;

C·B·皮萨拉 ;

R·R·帕特洛拉 ;

杨智超 ;

T·诺加米 .

中国专利 :CN111566800B ,2020-08-21

[8]

具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构 [P].

H·P·阿曼亚普 ;

C·B·皮萨拉 ;

R·R·帕特洛拉 ;

杨智超 ;

T·诺加米 .

中国专利 :CN115332166A ,2022-11-11

[9]

形成低电阻率贵金属互连的装置及方法 [P].

张洵渊 ;

法兰克·W·蒙特 ;

埃罗尔·特德·莱恩 .

中国专利 :CN107452714B ,2017-12-08

[10]

含钼的低电阻率的膜 [P].

施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ;

拉什纳·胡马雍 ;

米卡尔·达内克 ;

照健·史蒂文·黎 ;

约瑟亚·科林斯 ;

汉娜·班诺乐克 ;

格里芬·约翰·肯尼迪 ;

戈鲁恩·布泰尔 ;

帕特里克·范克利蒙布特 .

美国专利 :CN110731003B ,2024-03-26

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