利用后等离子体气体注入的等离子体处理设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880038243.0

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN110741459B

公开(公告)日：

2020-01-31

发明(设计)人：

马绍铭弗拉迪米尔·纳戈尔尼 D·V·德塞瑞安·M·帕库尔斯基

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

北京易光知识产权代理有限公司 11596

代理人：

崔晓光

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-08	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更事项:申请人变更前:马特森技术有限公司变更后:玛特森技术公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州变更事项:申请人变更前:北京屹唐半导体科技有限公司变更后:北京屹唐半导体科技有限公司
2020-01-31	公开	公开
2022-12-30	授权	授权
2020-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20180228
2021-03-26	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更事项:申请人变更前:玛特森技术公司变更后:玛特森技术公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州变更事项:申请人变更前:北京屹唐半导体科技有限公司变更后:北京屹唐半导体科技股份有限公司

共 50 条

[1]

等离子体处理设备 [P].

马绍铭 ;

弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ;

D·V·德塞 ;

瑞安·M·帕库尔斯基 .

中国专利 :CN110870038B ,2020-03-06

[2]

等离子体处理设备及其包含等离子体处理设备的等离子体处理系统 [P].

范德宏 ;

左涛涛 .

中国专利 :CN112117176A ,2020-12-22

[3]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

菅井秀郎 ;

井出哲也 ;

佐佐木厚 ;

东和文 ;

中田行彦 .

中国专利 :CN1670912A ,2005-09-21

[4]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

李勇锡 ;

郑石源 ;

许明洙 ;

安美罗 .

中国专利 :CN104576282A ,2015-04-29

[5]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

宇井明生 ;

林久贵 ;

富冈和广 ;

山本洋 ;

今村翼 .

中国专利 :CN103681196A ,2014-03-26

[6]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

山崎圭一 ;

猪冈结希子 ;

泽田康志 ;

田口典幸 ;

中园佳幸 ;

仲野章生 .

中国专利 :CN1165208C ,2002-02-06

[7]

等离子体处理设备以及等离子体处理方法 [P].

黄振华 .

中国专利 :CN113035677B ,2021-06-25

[8]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

岩井哲博 ;

有田洁 .

中国专利 :CN1669109A ,2005-09-14

[9]

等离子体处理方法和等离子体处理设备 [P].

奥村智洋 ;

佐佐木雄一朗 ;

冈下胜己 ;

金成国 ;

前嶋聪 ;

伊藤裕之 ;

中山一郎 ;

水野文二 .

中国专利 :CN101053066A ,2007-10-10

[10]

等离子体产生设备及等离子体处理设备 [P].

尤里·N·托尔马切夫 ;

马东俊 ;

金大一 ;

瑟吉·Y·纳瓦拉 .

中国专利 :CN1652661A ,2005-08-10

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