氮化硅蚀刻方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210029447.6
申请日
2022-01-12
公开(公告)号
CN114050107B
公开(公告)日
2022-02-15
发明(设计)人
廖军 张志敏
申请人
申请人地址
510000 广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
IPC主分类号
H01L21311
IPC分类号
H01L2166
代理机构
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
冯启正
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法 [P]. 
廖军 ;
张志敏 .
中国专利 :CN114050106B ,2022-02-15
[2]
氮化硅膜蚀刻溶液 [P]. 
柳浩成 ;
韩承弦 ;
张郁 ;
金允澈 .
中国专利 :CN107573940A ,2018-01-12
[3]
去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法 [P]. 
黄敬勇 ;
钟鑫生 ;
朱海波 ;
方文强 .
中国专利 :CN101587836A ,2009-11-25
[4]
氮化硅蚀刻组合物及方法 [P]. 
S·M·比洛德 ;
洪性辰 ;
吴幸臻 ;
杨闵杰 ;
E·I·库珀 .
中国专利 :CN112996881A ,2021-06-18
[5]
氮化硅蚀刻组合物和方法 [P]. 
S·M·比洛德 ;
C·叶文埃斯 .
美国专利 :CN119452061A ,2025-02-14
[6]
用于氮化硅层的蚀刻组合物、使用其对氮化硅层进行蚀刻的方法及氮化硅层 [P]. 
朴庆熏 .
韩国专利 :CN119020038A ,2024-11-26
[7]
氮化硅膜蚀刻组合物 [P]. 
金东铉 ;
朴贤宇 ;
李斗元 ;
曺长佑 ;
李明镐 ;
宋明根 .
中国专利 :CN110628435B ,2019-12-31
[8]
氮化硅蚀刻液组成物 [P]. 
大和田拓央 ;
吉田勇喜 ;
持田耕平 ;
仓本蕗人 .
日本专利 :CN118435329A ,2024-08-02
[9]
氮化硅膜蚀刻组合物 [P]. 
李昇勋 ;
李昇炫 ;
金胜焕 ;
陈昇吾 .
中国专利 :CN113518817B ,2021-10-19
[10]
氮化硅的无卤蚀刻 [P]. 
罗志仁 ;
金政焕 ;
符谦 ;
A·S·巴加尔 .
美国专利 :CN121100396A ,2025-12-09