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氮化硅蚀刻方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202210029447.6
申请日
:
2022-01-12
公开(公告)号
:
CN114050107B
公开(公告)日
:
2022-02-15
发明(设计)人
:
廖军
张志敏
申请人
:
申请人地址
:
510000 广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
IPC主分类号
:
H01L21311
IPC分类号
:
H01L2166
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
冯启正
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-04
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20220112
2022-02-15
公开
公开
2022-04-12
授权
授权
共 50 条
[1]
掩模层的重工方法及氮化硅蚀刻方法
[P].
廖军
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廖军
;
张志敏
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张志敏
.
中国专利
:CN114050106B
,2022-02-15
[2]
氮化硅膜蚀刻溶液
[P].
柳浩成
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柳浩成
;
韩承弦
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韩承弦
;
张郁
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张郁
;
金允澈
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金允澈
.
中国专利
:CN107573940A
,2018-01-12
[3]
去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法
[P].
黄敬勇
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黄敬勇
;
钟鑫生
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钟鑫生
;
朱海波
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朱海波
;
方文强
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方文强
.
中国专利
:CN101587836A
,2009-11-25
[4]
氮化硅蚀刻组合物及方法
[P].
S·M·比洛德
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S·M·比洛德
;
洪性辰
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洪性辰
;
吴幸臻
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吴幸臻
;
杨闵杰
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杨闵杰
;
E·I·库珀
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E·I·库珀
.
中国专利
:CN112996881A
,2021-06-18
[5]
氮化硅蚀刻组合物和方法
[P].
S·M·比洛德
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机构:
恩特格里斯公司
恩特格里斯公司
S·M·比洛德
;
C·叶文埃斯
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0
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机构:
恩特格里斯公司
恩特格里斯公司
C·叶文埃斯
.
美国专利
:CN119452061A
,2025-02-14
[6]
用于氮化硅层的蚀刻组合物、使用其对氮化硅层进行蚀刻的方法及氮化硅层
[P].
朴庆熏
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
朴庆熏
.
韩国专利
:CN119020038A
,2024-11-26
[7]
氮化硅膜蚀刻组合物
[P].
金东铉
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金东铉
;
朴贤宇
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朴贤宇
;
李斗元
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李斗元
;
曺长佑
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曺长佑
;
李明镐
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李明镐
;
宋明根
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宋明根
.
中国专利
:CN110628435B
,2019-12-31
[8]
氮化硅蚀刻液组成物
[P].
大和田拓央
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机构:
关东化学株式会社
关东化学株式会社
大和田拓央
;
吉田勇喜
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机构:
关东化学株式会社
关东化学株式会社
吉田勇喜
;
持田耕平
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机构:
关东化学株式会社
关东化学株式会社
持田耕平
;
仓本蕗人
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机构:
关东化学株式会社
关东化学株式会社
仓本蕗人
.
日本专利
:CN118435329A
,2024-08-02
[9]
氮化硅膜蚀刻组合物
[P].
李昇勋
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李昇勋
;
李昇炫
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李昇炫
;
金胜焕
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金胜焕
;
陈昇吾
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陈昇吾
.
中国专利
:CN113518817B
,2021-10-19
[10]
氮化硅的无卤蚀刻
[P].
罗志仁
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
罗志仁
;
金政焕
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应用材料公司
应用材料公司
金政焕
;
符谦
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应用材料公司
应用材料公司
符谦
;
A·S·巴加尔
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机构:
应用材料公司
应用材料公司
A·S·巴加尔
.
美国专利
:CN121100396A
,2025-12-09
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